| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 100ns |
| Suministro de voltaje: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Tecnología: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| Paquete del dispositivo: | 24-EDIP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 16Kb (2K x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | NVSRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Kb (2K x 8) Parallel 100ns 24-EDIP |
| Número de pieza base: | DS1220A |
| Tiempo de acceso: | 100ns |
| Email: | [email protected] |
