DMG7401SFGQ-13
DMG7401SFGQ-13
Número de pieza:
DMG7401SFGQ-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
50012 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DMG7401SFGQ-13.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerDI3333-8
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:11 mOhm @ 12A, 20V
La disipación de energía (máximo):940mW (Ta)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerWDFN
Otros nombres:DMG7401SFGQ-13DI
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2987pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:58nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.8A (Ta)
Email:[email protected]

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