DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
Número de pieza:
DMG6601LVT-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
47858 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
DMG6601LVT-7.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:TSOT-26
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:55 mOhm @ 3.4A, 10V
Potencia - Max:850mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres:DMG6601LVT-7DITR
DMG6601LVT7
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:422pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:12.3nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.8A, 2.5A
Número de pieza base:DMG6601
Email:[email protected]

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