CSD88599Q5DC
Número de pieza:
CSD88599Q5DC
Fabricante:
TI
Descripción:
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43908 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
CSD88599Q5DC.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo:22-VSON-CLIP (5x6)
Serie:NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.1 mOhm @ 30A, 10V
Potencia - Max:12W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:22-PowerTFDFN
Otros nombres:296-48289-1
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:35 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4840pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:27nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 12W Surface Mount 22-VSON-CLIP (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:-
Email:[email protected]

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