CDBDSC10650-G
Número de pieza:
CDBDSC10650-G
Fabricante:
Comchip Technology
Descripción:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
58755 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
CDBDSC10650-G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.7V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):650V
Paquete del dispositivo:D-PAK (TO-252)
Velocidad:No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:-
Tiempo de recuperación inversa (trr):0ns
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:641-1928
Temperatura de funcionamiento - Junction:-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo:Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corriente - Fuga inversa a Vr:100µA @ 650V
Corriente - rectificada media (Io):33A (DC)
Capacitancia Vr, F:690pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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