| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 20µA |
| Paquete del dispositivo: | PG-DSO-8 |
| Serie: | SIPMOS® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Potencia - Max: | 2W |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | BSO615CGHUMA1CT BSO615CINCT BSO615CINCT-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Número de pieza base: | BSO615 |
| Email: | [email protected] |
