español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLP8G10S-45PJ
BLP8G10S-45PJ
BLP8G10S-45PJ
Número de pieza:
BLP8G10S-45PJ
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
TRANS LDMOS 45W 4HSOPF
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
49903 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLP8G10S-45PJ.pdf
Investigación

Introducción

BLP8G10S-45PJ mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLP8G10S-45PJ, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLP8G10S-45PJ por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS (Dual)
Paquete del dispositivo:4-HSOPF
Serie:-
Alimentación - Salida:2.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-1223-1
Otros nombres:934067371118
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:20.8dB
Frecuencia:952.5MHz ~ 957.5MHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOPF
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:224mA
Número de pieza base:BLP8G10
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLP8G10S-45PJ

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLP8G27-10Z Image BLP8G27-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN Investigación
BLP9H10-30Z Ampleon BLP9H10-30/SOT1483/REELDP Investigación
BLP8G10S-270PWY Image BLP8G10S-270PWY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12212 Investigación
BLP8G10S-45PY Image BLP8G10S-45PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB SOT12231 Investigación
BLP9H10-30GZ Image BLP9H10-30GZ Ampleon BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP Investigación
BLP8G21S-160PVY Image BLP8G21S-160PVY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211 Investigación
BLP7G22-10,135 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR DRIVER LDMOS 12HVSON Investigación
BLP7G22-05Z Image BLP7G22-05Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Investigación
BLP7G07S-140P,118 Image BLP7G07S-140P,118 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF POWER 140W HSOP4F Investigación
BLP9G0722-20GZ Image BLP9G0722-20GZ Ampleon RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 Investigación
BLP8G05S-200GY Image BLP8G05S-200GY Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT12042 Investigación
BLP9G0722-20Z Image BLP9G0722-20Z Ampleon RF MOSFET LDMOS 28V SOT1482-1 Investigación
BLP8G20S-80PY Image BLP8G20S-80PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 Investigación
BLP8G10S-45PGY Image BLP8G10S-45PGY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP Investigación
BLP8G10S-45PGJ Image BLP8G10S-45PGJ NXP Semiconductors / Freescale TRANS LDMOS 45W 4HSOP Investigación
BLP35M805Z Image BLP35M805Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Investigación
BLP8G05S-200Y Image BLP8G05S-200Y Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382 Investigación
BLP7G07S-140PY Image BLP7G07S-140PY Ampleon RF FET LDMOS 65V 20.9DB SOT12231 Investigación
BLP8G27-5Z Image BLP8G27-5Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN Investigación
BLP7G22-10Z Image BLP7G22-10Z Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN Investigación

Latest Noticias