español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLL8H1214LS-250U
BLL8H1214LS-250U
BLL8H1214LS-250U
Número de pieza:
BLL8H1214LS-250U
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
75624 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLL8H1214LS-250U.pdf
Investigación

Introducción

BLL8H1214LS-250U mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLL8H1214LS-250U, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLL8H1214LS-250U por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:50V
Tensión - Calificación:100V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:SOT502B
Serie:-
Alimentación - Salida:250W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SOT-502B
Otros nombres:568-11694
934068735112
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:17dB
Frecuencia:1.2GHz ~ 1.4GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.2GHz ~ 1.4GHz 17dB 250W SOT502B
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:100mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLL8H1214LS-250U

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLL8H1214L-250U Image BLL8H1214L-250U Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A Investigación
BLL6H0514L-130,112 Image BLL6H0514L-130,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A Investigación
BLL9G1214L-600U Image BLL9G1214L-600U Ampleon BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY Investigación
BLL8H1214L-500U Image BLL8H1214L-500U Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Investigación
BLL6H1214LS-250,11 Image BLL6H1214LS-250,11 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B Investigación
BLL8H0514-25U Image BLL8H0514-25U Ampleon RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C Investigación
BLL6H1214L-250,112 Image BLL6H1214L-250,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A Investigación
BLL8H1214LS-500U Image BLL8H1214LS-500U Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539B Investigación
BLL8H0514LS-130U Image BLL8H0514LS-130U Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B Investigación
BLL6H0514LS-130,11 Image BLL6H0514LS-130,11 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B Investigación
BLL1SSL24039XN Amphenol Pcd CONN BACKSHELL BAND SZ 24 SLVR Investigación
BLL6H1214-500,112 Image BLL6H1214-500,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A Investigación
BLL6H1214LS-500,11 Image BLL6H1214LS-500,11 Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B Investigación
BLL6H0514-25,112 Image BLL6H0514-25,112 Ampleon RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C Investigación
BLL9G1214LS-600U Image BLL9G1214LS-600U Ampleon BLL9G1214LS-600/SOT502/TRAY Investigación
BLL1SSL24039XW Amphenol Pcd CONN BACKSHELL BAND SZ 24 OLIVE Investigación
BLL8H0514L-130U Image BLL8H0514L-130U Ampleon RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A Investigación
BLL6H1214P2S-250Z Image BLL6H1214P2S-250Z Ampleon RF FET LDMOS 50V 27DB MODULE Investigación
BLL6G1214L-250,112 Image BLL6G1214L-250,112 Ampleon RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502A Investigación
BLL6G1214LS-250,11 Image BLL6G1214LS-250,11 Ampleon RF FET LDMOS 89V 15DB SOT502B Investigación

Latest Noticias