español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF9G20LS-160VJ
BLF9G20LS-160VJ
BLF9G20LS-160VJ
Número de pieza:
BLF9G20LS-160VJ
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
38054 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF9G20LS-160VJ.pdf
Investigación

Introducción

BLF9G20LS-160VJ mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF9G20LS-160VJ, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF9G20LS-160VJ por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:LDMOST
Serie:-
Alimentación - Salida:35.5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-1120B
Otros nombres:568-12794-2
934069103118
BLF9G20LS-160VJ-ND
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:19.8dB
Frecuencia:1.81GHz ~ 1.88GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 800mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 19.8dB 35.5W LDMOST
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:800mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF9G20LS-160VJ

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF9G38-10GU Image BLF9G38-10GU Ampleon RF MOSFET LDMOS SOT975C Investigación
BLF8G27LS-150GVJ Image BLF8G27LS-150GVJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C Investigación
BLF9G24LS-150VJ Image BLF9G24LS-150VJ Ampleon TRANS RF 150W ACC-6 Investigación
BLF988,112 Image BLF988,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A Investigación
BLF9G24LS-150VU Image BLF9G24LS-150VU Ampleon TRANS RF 150W ACC-6 Investigación
BLF8G38LS-75VJ Image BLF8G38LS-75VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B Investigación
BLF8G27LS-140V,118 Image BLF8G27LS-140V,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Investigación
BLF8G38LS-75VU Image BLF8G38LS-75VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B Investigación
BLF9G20LS-160VU Image BLF9G20LS-160VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B Investigación
BLF8G27LS-140V,112 Image BLF8G27LS-140V,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B Investigación
BLF9G38-10GJ Ampleon RF MOSFET LDMOS SOT975C Investigación
BLF8G27LS-150VU Image BLF8G27LS-150VU Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B Investigación
BLF8G27LS-150VJ Image BLF8G27LS-150VJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B Investigación
BLF8G27LS-140V Ampleon RF FET Investigación
BLF9G24LS-230VJ Image BLF9G24LS-230VJ Ampleon TRANS RF 230W ACC-6 Investigación
BLF8G27LS-150GVQ Image BLF8G27LS-150GVQ Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C Investigación
BLF9G24LS-230VU Image BLF9G24LS-230VU Ampleon TRANS RF 230W ACC-6 Investigación
BLF988S,112 Image BLF988S,112 Ampleon RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B Investigación
BLF9G38LS-90PU Image BLF9G38LS-90PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B Investigación
BLF9G38LS-90PJ Image BLF9G38LS-90PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B Investigación

Latest Noticias