español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF7G27L-75P,112
BLF7G27L-75P,112
BLF7G27L-75P,112
Número de pieza:
BLF7G27L-75P,112
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
68023 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF7G27L-75P,112.pdf
Investigación

Introducción

BLF7G27L-75P,112 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF7G27L-75P,112, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF7G27L-75P,112 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Paquete del dispositivo:LDMOST
Serie:-
Alimentación - Salida:12W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-1121A
Otros nombres:934064556112
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:17dB
Frecuencia:2.3GHz ~ 2.4GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 650mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 17dB 12W LDMOST
Valoración actual:18A
Corriente - Prueba:650mA
Número de pieza base:BLF7G27
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF7G27L-75P,112

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF7G27L-90P,118 Image BLF7G27L-90P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A Investigación
BLF7G27L-150P,112 Image BLF7G27L-150P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A Investigación
BLF7G27LS-100,118 Image BLF7G27LS-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Investigación
BLF7G27L-100,112 Image BLF7G27L-100,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Investigación
BLF7G27L-90P,112 Image BLF7G27L-90P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A Investigación
BLF7G27LS-100,112 Image BLF7G27LS-100,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Investigación
BLF7G27LS-150P,112 Image BLF7G27LS-150P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B Investigación
BLF7G24LS-160P,112 Image BLF7G24LS-160P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Investigación
BLF7G27LS-140,112 Image BLF7G27LS-140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación
BLF7G27L-75P,118 Image BLF7G27L-75P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Investigación
BLF7G27L-140,118 Image BLF7G27L-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Investigación
BLF7G27L-100,118 Image BLF7G27L-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Investigación
BLF7G27LS-75P,112 Image BLF7G27LS-75P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Investigación
BLF7G27L-150P,118 Image BLF7G27L-150P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A Investigación
BLF7G27L-135,112 Image BLF7G27L-135,112 Ampleon TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A Investigación
BLF7G27L-135,118 Image BLF7G27L-135,118 Ampleon TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A Investigación
BLF7G27L-140,112 Image BLF7G27L-140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A Investigación
BLF7G27LS-150P,118 Image BLF7G27LS-150P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539B Investigación
BLF7G24LS-160P,118 Image BLF7G24LS-160P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B Investigación
BLF7G27LS-140,118 Image BLF7G27LS-140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación

Latest Noticias