español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF6G27LS-100,112
BLF6G27LS-100,112
BLF6G27LS-100,112
Número de pieza:
BLF6G27LS-100,112
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V SOT502A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
43944 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF6G27LS-100,112.pdf
Investigación

Introducción

BLF6G27LS-100,112 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF6G27LS-100,112, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF6G27LS-100,112 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:LDMOST
Serie:-
Alimentación - Salida:14W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-502A
Otros nombres:934064318112
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:-
Frecuencia:-
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 14W LDMOST
Valoración actual:29A
Corriente - Prueba:900mA
Número de pieza base:BLF6G27
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF6G27LS-100,112

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF6G27LS-50BN,118 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B Investigación
BLF6G27LS-40PGJ Image BLF6G27LS-40PGJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121E Investigación
BLF6G27LS-135,118 Image BLF6G27LS-135,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación
BLF6G27LS-100,118 NXP Semiconductors / Freescale TRANS PWR LDMOS SOT502 Investigación
BLF6G27L-40P,118 Image BLF6G27L-40P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Investigación
BLF6G27L-50BN,118 Image BLF6G27L-50BN,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A Investigación
BLF6G27LS-40P,118 Image BLF6G27LS-40P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Investigación
BLF6G27-135,112 Image BLF6G27-135,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502A Investigación
BLF6G27L-40P,112 Image BLF6G27L-40P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A Investigación
BLF6G27LS-75,112 Image BLF6G27LS-75,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502B Investigación
BLF6G27LS-40PHJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB Investigación
BLF6G27-10GHJ Image BLF6G27-10GHJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Investigación
BLF6G27LS-40P,112 Image BLF6G27LS-40P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B Investigación
BLF6G27LS-50BN,112 NXP Semiconductors / Freescale TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B Investigación
BLF6G27LS-135,112 Image BLF6G27LS-135,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación
BLF6G27-75,112 Image BLF6G27-75,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502A Investigación
BLF6G27-45,112 Image BLF6G27-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A Investigación
BLF6G27-10G,118 Image BLF6G27-10G,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Investigación
BLF6G27L-50BN,112 Image BLF6G27L-50BN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A Investigación
BLF6G27-45,135 Image BLF6G27-45,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A Investigación

Latest Noticias