español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF6G24-180PN,112
BLF6G24-180PN,112
BLF6G24-180PN,112
Número de pieza:
BLF6G24-180PN,112
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descripción:
TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
56105 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF6G24-180PN,112.pdf
Investigación

Introducción

BLF6G24-180PN,112 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF6G24-180PN,112, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF6G24-180PN,112 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:SOT539A
Serie:-
Alimentación - Salida:50W
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT539A
Otros nombres:934063604112
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:17.5dB
Frecuencia:2GHz ~ 2.2GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 2GHz ~ 2.2GHz 17.5dB 50W SOT539A
Valoración actual:-
Número de pieza base:BLF6G24
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF6G24-180PN,112

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF6G27-10,112 Image BLF6G27-10,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B Investigación
BLF6G22LS-40P,118 Image BLF6G22LS-40P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B Investigación
BLF6G27-100,118 Image BLF6G27-100,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502A Investigación
BLF6G27-10G,118 Image BLF6G27-10G,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Investigación
BLF6G22LS-75,118 Image BLF6G22LS-75,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B Investigación
BLF6G22LS-180RN,11 Image BLF6G22LS-180RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación
BLF6G22S-45,112 Image BLF6G22S-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608B Investigación
BLF6G22LS-75,112 Image BLF6G22LS-75,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.7DB SOT502B Investigación
BLF6G27-10,118 Image BLF6G27-10,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975B Investigación
BLF6G22LS-130,118 Image BLF6G22LS-130,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Investigación
BLF6G27-45,112 Image BLF6G27-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A Investigación
BLF6G22LS-180RN:11 Image BLF6G22LS-180RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B Investigación
BLF6G27-100,112 Image BLF6G27-100,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502A Investigación
BLF6G22LS-40P,112 Image BLF6G22LS-40P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B Investigación
BLF6G27-135,112 Image BLF6G27-135,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT502A Investigación
BLF6G27-10G,112 Image BLF6G27-10G,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Investigación
BLF6G27-45,135 Image BLF6G27-45,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608A Investigación
BLF6G22LS-180PN,11 Image BLF6G22LS-180PN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Investigación
BLF6G27-10GHJ Image BLF6G27-10GHJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C Investigación
BLF6G22LS-180PN:11 Image BLF6G22LS-180PN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B Investigación

Latest Noticias