español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF6G10L-260PRN:11
BLF6G10L-260PRN:11
BLF6G10L-260PRN:11
Número de pieza:
BLF6G10L-260PRN:11
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
48850 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF6G10L-260PRN:11.pdf
Investigación

Introducción

BLF6G10L-260PRN:11 mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF6G10L-260PRN:11, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF6G10L-260PRN:11 por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Paquete del dispositivo:SOT539A
Serie:-
Alimentación - Salida:40W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT539A
Otros nombres:934064449118
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:22dB
Frecuencia:917.5MHz ~ 962.5MHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 1.8A 917.5MHz ~ 962.5MHz 22dB 40W SOT539A
Valoración actual:64A
Corriente - Prueba:1.8A
Número de pieza base:BLF6G10
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF6G10L-260PRN:11

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF6G10-135RN,112 Image BLF6G10-135RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502A Investigación
BLF6G10L-40BRN,118 Image BLF6G10L-40BRN,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Investigación
BLF6G10LS-160RN:11 Image BLF6G10LS-160RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Investigación
BLF6G10-45,112 Image BLF6G10-45,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Investigación
BLF6G10L-40BRN,112 Image BLF6G10L-40BRN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 23DB SOT1112A Investigación
BLF6G10-200RN,112 Image BLF6G10-200RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A Investigación
BLF6G10L-260PBM,11 Image BLF6G10L-260PBM,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT1110A Investigación
BLF6G05LS-200RN,11 Image BLF6G05LS-200RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Investigación
BLF6G10LS-160RN,11 Image BLF6G10LS-160RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502B Investigación
BLF6G10L-260PRN,11 Image BLF6G10L-260PRN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22DB SOT539A Investigación
BLF6G10-160RN,112 Image BLF6G10-160RN,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT502A Investigación
BLF6G10LS-135RN,11 Image BLF6G10LS-135RN,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Investigación
BLF6G10LS-135RN:11 Image BLF6G10LS-135RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Investigación
BLF6G10LS-135R,118 Image BLF6G10LS-135R,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Investigación
BLF6G10LS-135R,112 Image BLF6G10LS-135R,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B Investigación
BLF6G10LS-160,112 Image BLF6G10LS-160,112 Ampleon RF FET LDMOS SOT502B Investigación
BLF6G10-45,135 Image BLF6G10-45,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 22.5DB SOT608A Investigación
BLF6G10LS-160,118 Image BLF6G10LS-160,118 Ampleon RF FET LDMOS SOT502B Investigación
BLF6G10L-260PBM:11 Image BLF6G10L-260PBM:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V SOT1110A Investigación
BLF6G05LS-200RN:11 Image BLF6G05LS-200RN:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 24DB SOT502B Investigación

Latest Noticias