español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLF2425M7L100J
BLF2425M7L100J
BLF2425M7L100J
Número de pieza:
BLF2425M7L100J
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
20875 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLF2425M7L100J.pdf
Investigación

Introducción

BLF2425M7L100J mejor precio y entrega rápida.
BOSER Technology es el distribuidor de BLF2425M7L100J, tenemos las existencias para envío inmediato y también estamos disponibles para el suministro a largo plazo. Envíenos su plan de compra para BLF2425M7L100J por correo electrónico, le daremos un mejor precio de acuerdo con su plan.
Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Voltaje - Prueba:28V
Tensión - Calificación:65V
Tipo de transistor:LDMOS
Paquete del dispositivo:LDMOST
Serie:-
Alimentación - Salida:20W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SOT-502A
Otros nombres:934067899118
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:18dB
Frecuencia:2.3GHz ~ 2.4GHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 18dB 20W LDMOST
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:900mA
Número de pieza base:BLF2425
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLF2425M7L100J

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLF2425M7L140,112 Image BLF2425M7L140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A Investigación
BLF2425M6L180P,112 Image BLF2425M6L180P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A Investigación
BLF2324M8LS200PU Image BLF2324M8LS200PU Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Investigación
BLF242,112 Image BLF242,112 Ampleon RF FET NCHA 65V 16DB SOT123A Investigación
BLF2425M7LS140,118 Image BLF2425M7LS140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Investigación
BLF2324M8LS200PJ Image BLF2324M8LS200PJ Ampleon RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B Investigación
BLF2425M7LS250P,11 Image BLF2425M7LS250P,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B Investigación
BLF2425M7LS100J Image BLF2425M7LS100J Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Investigación
BLF2043F,112 Image BLF2043F,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Investigación
BLF2425M7L100U Image BLF2425M7L100U Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A Investigación
BLF2425M7L250P,112 Image BLF2425M7L250P,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A Investigación
BLF2425M7LS100U Image BLF2425M7LS100U Ampleon RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B Investigación
BLF2425M7LS140,112 Image BLF2425M7LS140,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B Investigación
BLF2425M6LS180P,11 Image BLF2425M6LS180P,11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B Investigación
BLF2043F,135 Image BLF2043F,135 Ampleon RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C Investigación
BLF2045,112 Image BLF2045,112 Ampleon RF FET LDMOS 65V 10DB SOT467C Investigación
BLF2425M7L250P,118 Image BLF2425M7L250P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A Investigación
BLF2425M6LS180P:11 Image BLF2425M6LS180P:11 Ampleon RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B Investigación
BLF2425M6L180P,118 Image BLF2425M6L180P,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539A Investigación
BLF2425M7L140,118 Image BLF2425M7L140,118 Ampleon RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A Investigación

Latest Noticias