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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C64M16D3B-12BINTR
AS4C64M16D3B-12BINTR
AS4C64M16D3B-12BINTR
Número de pieza:
AS4C64M16D3B-12BINTR
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descripción:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Cantidad:
49344 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
AS4C64M16D3B-12BINTR.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:15ns
Suministro de voltaje:1.425 V ~ 1.575 V
Tecnología:SDRAM - DDR3
Paquete del dispositivo:96-FBGA (13x9)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:96-TFBGA
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:1Gb (64M x 16)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Descripción detallada:SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-FBGA (13x9)
Frecuencia de reloj:800MHz
Tiempo de acceso:20ns
Email:[email protected]

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