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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C128M8D3A-12BINTR
AS4C128M8D3A-12BINTR
AS4C128M8D3A-12BINTR
Número de pieza:
AS4C128M8D3A-12BINTR
Fabricante:
Alliance Memory, Inc.
Descripción:
IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
48227 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
AS4C128M8D3A-12BINTR.pdf
Investigación

Introducción

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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página:15ns
Suministro de voltaje:1.425 V ~ 1.575 V
Tecnología:SDRAM - DDR3
Paquete del dispositivo:78-FBGA (10.5x8)
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:78-VFBGA
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memoria:Volatile
Tamaño de la memoria:1Gb (128M x 8)
Interfaz de memoria:Parallel
Formato de memoria:DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada:SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (10.5x8)
Frecuencia de reloj:800MHz
Tiempo de acceso:20ns
Email:[email protected]

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