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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > APTMC120HR11CT3AG
APTMC120HR11CT3AG
Número de pieza:
APTMC120HR11CT3AG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
POWER MODULE - SIC MOSFET
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
66059 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
APTMC120HR11CT3AG.pdf
Investigación

Introducción

APTMC120HR11CT3AG mejor precio y entrega rápida.
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Nuestro correo electrónico: [email protected]

Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3V @ 5mA
Paquete del dispositivo:SP3
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:98 mOhm @ 20A, 20V
Potencia - Max:125W
Paquete / Cubierta:Module
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:950pF @ 1000V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:62nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica de FET:Silicon Carbide (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 26A (Tc) 125W Chassis Mount SP3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

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