APTM50UM09FAG
APTM50UM09FAG
Número de pieza:
APTM50UM09FAG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
59233 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.APTM50UM09FAG.pdf2.APTM50UM09FAG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 30mA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SP6
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:10 mOhm @ 248.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):5000W (Tc)
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP6
Otros nombres:APTM50UM09FAGMI
APTM50UM09FAGMI-ND
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:63300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:1200nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 497A (Tc) 5000W (Tc) Chassis Mount SP6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:497A (Tc)
Email:[email protected]

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