APTM100H45STG
APTM100H45STG
Número de pieza:
APTM100H45STG
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
61011 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.APTM100H45STG.pdf2.APTM100H45STG.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo:SP4
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:540 mOhm @ 9A, 10V
Potencia - Max:357W
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SP4
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:154nC @ 10V
Tipo FET:4 N-Channel (H-Bridge)
Característica de FET:Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción detallada:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 18A 357W Chassis Mount SP4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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