AOW11N60
AOW11N60
Número de pieza:
AOW11N60
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
74400 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.AOW11N60.pdf2.AOW11N60.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:700 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):272W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres:785-1426-5
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1990pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:37nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción detallada:N-Channel 600V 11A (Tc) 272W (Tc) Through Hole TO-262
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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