AOT282L
AOT282L
Número de pieza:
AOT282L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
81030 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.AOT282L.pdf2.AOT282L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.5 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7765pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:178nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción detallada:N-Channel 80V 18.5A (Ta), 105A (Tc) 2.1W (Ta), 272.5W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:18.5A (Ta), 105A (Tc)
Email:[email protected]

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