AOT22N50L
AOT22N50L
Número de pieza:
AOT22N50L
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 22A TO220
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
51974 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.AOT22N50L.pdf2.AOT22N50L.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:260 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo):417W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:785-1513-5
AOT22N50L-ND
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3710pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:83nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción detallada:N-Channel 500V 22A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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