AOD7N65
AOD7N65
Número de pieza:
AOD7N65
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad:
60232 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
1.AOD7N65.pdf2.AOD7N65.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New and Original
Origen Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.56 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):178W (Tc)
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres:785-1484-1
Temperatura de funcionamiento:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1180pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:24nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción detallada:N-Channel 650V 7A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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