| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | - |
| Suministro de voltaje: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnología: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Paquete del dispositivo: | 208-PQFP (28x28) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 208-BFQFP |
| Otros nombres: | IDT70V7519S133DRI IDT70V7519S133DRI-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 9Mb (256K x 36) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28) |
| Frecuencia de reloj: | 133MHz |
| Número de pieza base: | IDT70V7519 |
| Tiempo de acceso: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
