| Condición | New and Original |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS): | 30V |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | 60 Ohms |
| Potencia - Max: | 350mW |
| embalaje: | Tape & Box (TB) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10pF @ 12V (VGS) |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción detallada: | JFET N-Channel 30V 350mW Through Hole TO-92-3 |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 25mA @ 20V |
| Número de pieza base: | 2N5639 |
| Email: | [email protected] |
