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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd ist das globale Joint Venture zwischen NXP Semiconductors NV und Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors wurde am 19. Januar 2016 offiziell mit dem Geschäfts- und Betriebszentrum in Shanghai, China, eröffnet. WeEn Semiconductors ist in der Stadt Nanchang registriert, der Hauptstadt der Provinz Jiangxi in China. Sie besitzt Tochtergesellschaften und Niederlassungen in Jilin City für bipolare Produktion, in Shanghai und Großbritannien für F & E und Produktionsunterstützung, in Hong Kong für Vertriebsaktivitäten und in vielen anderen Ländern für Vertriebs- und Kundendienstleistungen.
Als ein wichtiger Akteur in der Halbleiterindustrie kombiniert WeEn die fortschrittliche Bipolar-Power-Technologie und die starke Ressource von JAC Capital in der chinesischen Fertigungsindustrie und den Vertriebskanälen, um sich auf die Entwicklung eines kompletten Portfolios branchenführender bipolarer Stromversorgungsprodukte einschließlich Silizium-Gleichrichter zu konzentrieren. Leistungsdioden, Hochspannungstransistoren, Siliziumkarbid, die in der Automobil-, Telekommunikations-, Computer- und Unterhaltungselektronik-, intelligenten Haushaltsgerät-, Beleuchtungs- und Energiemanagement-Branche weit verbreitet sind. Ziel ist es, den Kunden zu einer höheren Kosteneffizienz und Produktionseffizienz zu verhelfen und zur Entwicklung Chinas und der globalen intelligenten Fertigung beizutragen.
Das Produktportfolio der NXP Bi-Polar Division (Dioden, Thyristoren und Transistoren) wurde auf WeEn Semiconductors übertragen (19. Januar 2017).
Image Artikelnummer Beschreibung Aussicht
BTA204X-1000C,127 Image BTA204X-1000C,127 TRIAC 1KV 4A TO220F Anfrage
PHE13003A,126 Image PHE13003A,126 TRANS NPN 400V 1A SOT54 Anfrage
Z0109MAML Z0109MA/TO-92/STANDARD MARKING Anfrage
BTA204X-600B/L03Q Image BTA204X-600B/L03Q TRIAC 600V 4A Anfrage
BT151S-500L,118 Image BT151S-500L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Anfrage
BT137S-800F,118 Image BT137S-800F,118 TRIAC 800V 8A DPAK Anfrage
BYR29X-800,127 Image BYR29X-800,127 DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F Anfrage
BYC15-1200PQ BYC15-1200PQ/TO-220AC/STANDARD M Anfrage
BTA202X-600D,127 Image BTA202X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 2A TO220-3 Anfrage
BTA212-600F,127 Image BTA212-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Anfrage
BTA204-600E,127 Image BTA204-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Anfrage
BT134-600G,127 Image BT134-600G,127 TRIAC 600V 4A SOT82-3 Anfrage
BTA204X-800E,127 Image BTA204X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Anfrage
BYV32EB-200PQ Image BYV32EB-200PQ BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR Anfrage
ACTT2S-800E,118 Image ACTT2S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 2A DPAK Anfrage
BTA308X-800F0Q BTA308X-800F0 TO-220F STANDARD Anfrage
BT258S-800LT,118 Image BT258S-800LT,118 SCR LOGIC LEVEL 800V 5A DPAK Anfrage
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Anfrage
ACTT6G-800E,127 Image ACTT6G-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A I2PAK Anfrage
Z0107MA0,412 Image Z0107MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Anfrage
BT152B-400R,118 Image BT152B-400R,118 THYRISTOR 450V 20A D2PAK Anfrage
BT137-600G,127 Image BT137-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Anfrage
MAC97A8,412 Image MAC97A8,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.6A TO92-3 Anfrage
BTA216B-800B,118 Image BTA216B-800B,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Anfrage
NXPS20H110C,127 Image NXPS20H110C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220 Anfrage
ACTT6X-800E,127 Image ACTT6X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 6A TO-220F Anfrage
BT169D,126 Image BT169D,126 THYRISTOR 400V 50MA TO92-3 Anfrage
BTA316-600BT,127 Image BTA316-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Anfrage
TYN20-800T,127 Image TYN20-800T,127 SCR 800V 210A TO-220AB Anfrage
BYQ72EK-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO3P Anfrage
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ/TO263/REEL 13\" Q1/ Anfrage
Z0109NA,126 Image Z0109NA,126 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Anfrage
BT137S-600,118 Image BT137S-600,118 TRIAC STANDARD 600V 8A DPAK Anfrage
BUJ100,412 Image BUJ100,412 TRANS NPN 400V 1A TO92 Anfrage
NCR100-8LR NCR100-8L/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Anfrage
MCR08BT1,115 Image MCR08BT1,115 THYRISTOR 0.8A 200V SOT223 Anfrage
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET/DG/SIL3P/STANDARD Anfrage
BTA412Y-800ETQ BTA412Y-800ET SIL3P STANDARD Anfrage
BYC20X-600,127 Image BYC20X-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220F Anfrage
Z0103NA0QP Image Z0103NA0QP TRIAC SENS GATE 800V 1A Anfrage
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Anfrage
BTA312Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Anfrage
BTA316X-800B,127 Image BTA316X-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Anfrage
BT258X-600R,127 Image BT258X-600R,127 THYRISTOR 600V 8A SOT186A Anfrage
BT138-600D,127 Image BT138-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Anfrage
BT150S-600R,118 Image BT150S-600R,118 THYRISTOR 600V 4A DPAK Anfrage
BT258X-500R,127 Image BT258X-500R,127 THYRISTOR 500V 8A SOT186A Anfrage
BT138-800,127 Image BT138-800,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Anfrage
BTA204X-800E/L03Q Image BTA204X-800E/L03Q TRIAC SENS GATE 800V 4A Anfrage
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q/TO247/STANDARD MA Anfrage
Aufzeichnungen 873