| състояние | New and Original |
|---|---|
| произход | Contact us |
| Дистрибутор | Boser Technology |
| Изпитване на напрежение: | 718pF @ 100V |
| Напрежение - Разбивка: | DPAK |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (макс): | 10V |
| технология: | MOSFET (Metal Oxide) |
| серия: | MDmesh™ M2 |
| Състояние на RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 11A (Tc) |
| поляризация: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Други имена: | 497-15258-6 |
| Работна температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Surface Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 26 Weeks |
| Номер на частта на производителя: | STD16N65M2 |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 19.5nC @ 10V |
| Тип IGBT: | ±25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| FET Feature: | N-Channel |
| Разширено описание: | N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | - |
| описание: | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 650V |
| Съотношение на капацитета: | 110W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
