| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | 2080pF @ 15V |
| الجهد - انهيار: | 8-SO |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 6.8 mOhm @ 16A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 16A (Ta) |
| الاستقطاب: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | IRF7805ZGPBF IRF7805ZGPBF-ND SP001551518 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF7805ZGTRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 27nC @ 4.5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.25V @ 250µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30V |
| نسبة السعة: | 2.5W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
