| شرط | New and Original |
|---|---|
| الأصل | Contact us |
| موزع | Boser Technology |
| الجهد - اختبار: | - |
| الجهد - انهيار: | ISOPLUS i4-PAC™ |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 70 mOhm @ 20A, 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 38A (Tc) |
| الاستقطاب: | i4-Pac™-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FMD40-06KC |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250nC @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.9V @ 2.7mA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 38A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | Super Junction |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 600V |
| نسبة السعة: | - |
| Email: | [email protected] |
