| Điều kiện | New and Original |
|---|---|
| Gốc | Contact us |
| Nhà phân phối | Boser Technology |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 3mA |
| Vgs (Tối đa): | +6V, -4V |
| Công nghệ: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Die |
| Loạt: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 25 mOhm @ 6A, 5V |
| Điện cực phân tán (Max): | - |
| Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
| Gói / Case: | Die |
| Vài cái tên khác: | 917-1016-2 |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Độ nhạy độ ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tình trạng miễn phí / Tình trạng RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 100V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 5V |
| Loại FET: | N-Channel |
| FET Feature: | - |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 200V |
| miêu tả cụ thể: | N-Channel 200V 12A (Ta) Surface Mount Die |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
