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狀況 | New and Original |
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來源 | Contact us |
分銷商 | Boser Technology |
VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±12V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 10-PolarPAK® (S) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.5 mOhm @ 18A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
封装: | Cut Tape (CT) |
封裝/箱體: | 10-PolarPAK® (S) |
其他名稱: | SIE820DF-T1-E3CT SIE820DFT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 4300pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 143nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 2.5V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
詳細說明: | N-Channel 20V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |