APTM60A11FT1G
型號:
APTM60A11FT1G
製造商:
Microsemi
描述:
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
[LeadFreeStatus]未找到翻译
無鉛/符合RoHS
數量:
31638 Pieces
發貨時間:
1-2 days
數據表:
1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

狀況 New and Original
來源 Contact us
分銷商 Boser Technology
VGS(TH)(最大)@標識:5V @ 2.5mA
供應商設備封裝:SP1
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:132 mOhm @ 33A, 10V
功率 - 最大:390W
封装:Bulk
封裝/箱體:SP1
其他名稱:APTM60A11UT1G
APTM60A11UT1G-ND
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Chassis Mount
濕度敏感度等級(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:32 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:10552pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:330nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Half Bridge)
FET特點:Standard
漏極至源極電壓(Vdss):600V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
電流 - 25°C連續排水(Id):40A
Email:[email protected]

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