SIHB20N50E-GE3
SIHB20N50E-GE3
Parça Numarası:
SIHB20N50E-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
miktar:
50619 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SIHB20N50E-GE3.pdf

Giriş

SIHB20N50E-GE3 en iyi fiyat ve hızlı teslimat.
BOSER Technology SIHB20N50E-GE3 distribütörüdür, biz derhal nakliye için stoklarımız var ve ayrıca uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize SIHB20N50E-GE3 satın alma planınızı e-posta ile gönderin, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Bizim e-posta: [email protected]

Özellikler

Şart New and Original
Menşei Contact us
Distribütör Boser Technology
Id @ Vgs (th) (Max):4V @ 250µA
Vgs (Maks.):±30V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:D²PAK (TO-263)
Dizi:-
Id, VGS @ rds On (Max):184 mOhm @ 10A, 10V
Güç Tüketimi (Max):179W (Tc)
paketleme:Bulk
Paket / Kutu:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:1640pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:92nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):500V
Detaylı Açıklama:N-Channel 500V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):19A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar