SIA418DJ-T1-GE3
SIA418DJ-T1-GE3
Parça Numarası:
SIA418DJ-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
miktar:
21954 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SIA418DJ-T1-GE3.pdf

Giriş

SIA418DJ-T1-GE3 en iyi fiyat ve hızlı teslimat.
BOSER Technology SIA418DJ-T1-GE3 distribütörüdür, biz derhal nakliye için stoklarımız var ve ayrıca uzun süre tedarik için kullanılabilir. Lütfen bize SIA418DJ-T1-GE3 satın alma planınızı e-posta ile gönderin, planınıza göre size en iyi fiyatı vereceğiz.
Bizim e-posta: [email protected]

Özellikler

Şart New and Original
Menşei Contact us
Distribütör Boser Technology
Id @ Vgs (th) (Max):2.4V @ 250µA
Vgs (Maks.):±20V
teknoloji:MOSFET (Metal Oxide)
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SC-70-6 Single
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):18 mOhm @ 9A, 10V
Güç Tüketimi (Max):3.5W (Ta), 19W (Tc)
paketleme:Cut Tape (CT)
Paket / Kutu:PowerPAK® SC-70-6
Diğer isimler:SIA418DJ-T1-GE3CT
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:570pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:17nC @ 10V
FET Tipi:N-Channel
FET Özelliği:-
Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı):4.5V, 10V
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):30V
Detaylı Açıklama:N-Channel 30V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):12A (Tc)
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar