| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 3V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±25V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | 8-SO |
| Dizi: | TrenchFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 14 mOhm @ 11.5A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 1.5W (Ta) |
| paketleme: | Tape & Reel (TR) |
| Paket / Kutu: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Diğer isimler: | SI4825DY-T1-E3TR |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 71nC @ 10V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 4.5V, 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 30V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 8.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
