| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Maks.): | ±12V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | Micro3™/SOT-23 |
| Dizi: | HEXFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| Güç Tüketimi (Max): | 540mW (Ta) |
| paketleme: | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kutu: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Diğer isimler: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
| Çalışma sıcaklığı: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 97pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
| FET Tipi: | P-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 2.7V, 4.5V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 20V |
| Detaylı Açıklama: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 780mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
