| Şart | New and Original |
|---|---|
| Menşei | Contact us |
| Distribütör | Boser Technology |
| Id @ Vgs (th) (Max): | 4.8V @ 150µA |
| Vgs (Maks.): | ±20V |
| teknoloji: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tedarikçi Cihaz Paketi: | DIRECTFET™ MN |
| Dizi: | HEXFET® |
| Id, VGS @ rds On (Max): | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
| Güç Tüketimi (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| paketleme: | Tube |
| Paket / Kutu: | DirectFET™ Isometric MN |
| Diğer isimler: | SP001574786 |
| Çalışma sıcaklığı: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| bağlantı Tipi: | Surface Mount |
| Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds: | 2210pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs: | 47nC @ 10V |
| FET Tipi: | N-Channel |
| FET Özelliği: | - |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rd, Min Rd Salı): | 10V |
| Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin): | 100V |
| Detaylı Açıklama: | N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
| Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id): | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
