русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Интегральные схемы (ICs) > Память > MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Тип продуктов:
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
производитель:
Micron Technology
Описание:
IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество:
55945 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Техническая спецификация:
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR.pdf
запрос

Введение

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR лучшая цена и быстрая доставка.
BOSER Technology является дистрибьютором MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR, у нас есть запасы для немедленной доставки, а также доступны для длительной поставки. Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR по электронной почте, мы предложим вам лучшую цену согласно вашему плану.
Наш электронный адрес: [email protected]

Спецификация

Состояние New and Original
происхождения Contact us
дистрибьютор Boser Technology
Время цикла записи - слово, страница:-
Напряжение тока - поставка:1.1V
Технологии:SDRAM - Mobile LPDDR4
Серии:-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Другие названия:MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR-ND
MT53B512M64D4NH-062WTES:CTR
Рабочая Температура:-30°C ~ 85°C (TC)
Уровень чувствительности влаги (MSL):3 (168 Hours)
Тип памяти:Volatile
Размер памяти:32Gb (512M x 64)
Интерфейс памяти:-
Формат памяти:DRAM
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Подробное описание:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
Тактовая частота:1600MHz
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
MT53B512M64D4NH-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M32D2NP-062 WT:D Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ запрос
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NK-053 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA запрос
MT53B512M32D2NP-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NH-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA запрос
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ запрос
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M32D2NP-062 WT:C Micron Technology IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA запрос
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA запрос

Latest Новости