| Состояние | New and Original |
|---|---|
| происхождения | Contact us |
| дистрибьютор | Boser Technology |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс): | 300V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic: | 800mV @ 400mA, 2A |
| Тип транзистор: | NPN |
| Поставщик Упаковка устройства: | TO-66 |
| Серии: | - |
| Мощность - Макс: | 1W |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | TO-213AA, TO-66-2 |
| Другие названия: | Q9584396 |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип установки: | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Частота - Переход: | - |
| Подробное описание: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 2A 1W Through Hole TO-66 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 25 @ 500mA, 5V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс): | 200nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс): | 2A |
| Email: | [email protected] |
