| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V, 12V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 2.2 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz, 260MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 20 @ 20mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA, 500mA |
| Email: | [email protected] |
