SI8900EDB-T2-E1
SI8900EDB-T2-E1
Modelo do Produto:
SI8900EDB-T2-E1
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
75012 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
SI8900EDB-T2-E1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1.1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:10-UFBGA, CSPBGA
Outros nomes:SI8900EDB-T2-E1TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:13 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.4A
Número da peça base:SI8900
Email:[email protected]

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