PSMN070-200P,127
PSMN070-200P,127
Modelo do Produto:
PSMN070-200P,127
Fabricante:
Nexperia
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
51039 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
PSMN070-200P,127.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:TrenchMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:70 mOhm @ 17A, 10V
Dissipação de energia (Max):250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4570pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:77nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 35A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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