Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Modelo do Produto:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 32G 2133MHZ
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
68495 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR.pdf
inquérito

Introdução

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR melhor preço e entrega rápida.
BOSER Technology é o distribuidor para MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR, temos as ações para o transporte imediato e também está disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR por e-mail, nós lhe daremos um melhor preço de acordo com o seu plano.
Nosso email: [email protected]

Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.1V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Outros nomes:MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR-ND
MT53D512M64D4RQ-046WT:ETR
Temperatura de operação:-30°C ~ 85°C (TC)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:32Gb (512M x 64)
Interface de memória:-
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 2133MHz
Freqüência de relógio:2133MHz
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ inquérito
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ inquérito
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ inquérito
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4SB-046 XT:D Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA inquérito
MT53D512M64D4SB-046 XT:E Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR Micron Technology IC DRAM 32G 1866MHZ inquérito
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR Micron Technology IC DRAM 32G 2133MHZ inquérito

Latest Notícias