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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > MT52L256M64D2QB-125 XT:B
MT52L256M64D2QB-125 XT:B
Modelo do Produto:
MT52L256M64D2QB-125 XT:B
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 16G 800MHZ FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
77238 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT52L256M64D2QB-125 XT:B.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:-
Tensão - Fornecimento:1.2V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR3
Série:-
Outros nomes:MT52L256M64D2QB-125 XT:B-ND
MT52L256M64D2QB-125XT:B
Temperatura de operação:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:16Gb (256M x 64)
Interface de memória:-
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - Mobile LPDDR3 Memory IC 16Gb (256M x 64) 800MHz
Freqüência de relógio:800MHz
Email:[email protected]

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