MT47H256M8THN-3:H TR
Modelo do Produto:
MT47H256M8THN-3:H TR
Fabricante:
Micron Technology
Descrição:
IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
55516 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MT47H256M8THN-3:H TR.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página:15ns
Tensão - Fornecimento:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Embalagem do dispositivo fornecedor:63-FBGA (8x10)
Série:-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:63-TFBGA
Outros nomes:MT47H256M8THN-3:H TR-ND
MT47H256M8THN-3:HTR
Temperatura de operação:0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Volatile
Tamanho da memória:2Gb (256M x 8)
Interface de memória:Parallel
Formato de memória:DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada:SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (8x10)
Freqüência de relógio:333MHz
Número da peça base:MT47H256M8
Tempo de acesso:450ps
Email:[email protected]

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