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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > MRF8P29300HSR6
MRF8P29300HSR6
MRF8P29300HSR6
Modelo do Produto:
MRF8P29300HSR6
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230S
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
62010 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MRF8P29300HSR6.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:30V
Tensão - M:65V
Tipo transistor:LDMOS (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:NI-1230S
Série:-
Potência:320W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:NI-1230S
Outros nomes:935310588128
Fator de ruído:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:13.3dB
Freqüência:2.9GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 100mA 2.9GHz 13.3dB 320W NI-1230S
Potência nominal:-
Atual - Teste:100mA
Número da peça base:MRF8P29300
Email:[email protected]

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