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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > MRF6V2010NBR1
MRF6V2010NBR1
MRF6V2010NBR1
Modelo do Produto:
MRF6V2010NBR1
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
FET RF 110V 220MHZ TO272-2
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade:
72069 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MRF6V2010NBR1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:50V
Tensão - M:110V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-272-2
Série:-
Potência:10W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-272BC
Outros nomes:935319274528
MRF6V2010NBR1-ND
MRF6V2010NBR1TR
Fator de ruído:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Ganho:23.9dB
Freqüência:220MHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS 50V 30mA 220MHz 23.9dB 10W TO-272-2
Potência nominal:-
Atual - Teste:30mA
Número da peça base:MRF6V2010
Email:[email protected]

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