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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - RF > MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1
MRF6S20010GNR1
Modelo do Produto:
MRF6S20010GNR1
Fabricante:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrição:
FET RF 68V 2.17GHZ TO270-2 GW
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
65050 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
MRF6S20010GNR1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
Tensão - Teste:28V
Tensão - M:68V
Tipo transistor:LDMOS
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-270-2 GULL
Série:-
Potência:10W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-270BA
Outros nomes:935313674528
MRF6S20010GNR1-ND
MRF6S20010GNR1TR
Fator de ruído:-
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganho:15.5dB
Freqüência:2.17GHz
Descrição detalhada:RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.17GHz 15.5dB 10W TO-270-2 GULL
Potência nominal:-
Atual - Teste:130mA
Número da peça base:MRF6S20010
Email:[email protected]

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