| Condição | New and Original |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Distribuidor | Boser Technology |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 10ns |
| Tensão - Fornecimento: | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | SRAM - Asynchronous |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 48-CABGA (9x9) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 48-TFBGA |
| Outros nomes: | 71V416VS10BEI8 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Volatile |
| Tamanho da memória: | 4Mb (256K x 16) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | SRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrição detalhada: | SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-CABGA (9x9) |
| Número da peça base: | IDT71V416 |
| Tempo de acesso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
