FDC365P
FDC365P
Modelo do Produto:
FDC365P
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade:
70540 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
FDC365P.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New and Original
Origem Contact us
Distribuidor Boser Technology
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-SSOT
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:55 mOhm @ 4.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.6W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes:FDC365PTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:705pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):35V
Descrição detalhada:P-Channel 35V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.3A (Ta)
Email:[email protected]

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